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詳細介紹

晶硅電池PERC/TOPCon設備

·低壓硼擴散設備：TOPCon已成為N型電池產業化推廣的主流技術路線之一，硼擴散主要用于電池制造中正面制作PN結，屬于關鍵制程之一。

·低壓擴散/氧化退火爐：低壓擴散是目前被認為有效提高太陽能電池轉換效率一種有效途徑，提高了擴散源的分子自由程，解決了擴散深度和均勻性的問題；相比常壓擴散體現了一些顯著的優勢特性，比如高產能、高方阻、工藝重復性、低源消耗、潔凈環保等，主要用于晶體硅太陽電池制造中硅片的擴散摻雜與氧化退火工藝。

·LPCVD/PE-POLY：適用于半導體和光伏領域，針對于光伏領域TOPCon/BC工藝電池，LPCVD設備在電池背面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層多晶硅薄層，超薄氧化層可以使多子電子隧穿進入多晶硅層，同時阻擋少子空穴復合，從而電子在多晶硅層橫向傳輸被金屬收集，最終極大地降低了金屬接觸復合電流。

·PECVD：在硅片表面淀積一層厚度約為75-140nm的減反射氨化硅膜(SixNy)，同時利用在淀積過程中產生的活性H+離子，對硅片表面和內部進行鈍化處理。在體現減少光反射的同時，也提高了硅片的少子壽命，最終直接體現在晶體硅電池的轉換效率，主要用在PERC/TOPCon電池正背面氨化硅膜生長。

·原子層沉積鍍膜設備（ALD）：自主研發設計大產能管式ALD沉積設備,提供超薄高質量介電膜SnOx、AIOx、NiOx、ZnOx以應用于高效太陽能電池的制造,并搭配自動化提供穩定可靠的設備運行。

BC電池設備

·XBC激光開膜設備：應用于BC電池上的激光開膜工藝技術，使用超快激光搭配平頂整形光斑，為制備叉指狀間隔排列的P區和N區進行掩膜的圖形化加工，以實現定域摻雜功能。

·激光優化接觸設備：應用于TOPCon電池柵線電極接觸改善的工藝技術，位于絲網線光注入之后，通過匹配專用漿料，降低燒結峰值溫度，降低對鈍化層的損傷以及復合，之后加入LOC制程優化改善接觸。可有效改善開路電壓和填充因子，提升光電轉換效率，增益在0.3%以上。

·背激光微處理設備：應用于TOPCon電池背面poly層上的微處理工藝技術，包含激光誘導改質和激光誘導非晶化兩種工藝，可改善電池背面的接觸性能以及降低長波長的光寄生吸收，提升光電轉換效率，增益在0.1~0.2%。

鈣鈦礦電池設備

·鈣鈦礦激光刻劃機（中試機型）：適用于實驗室科研/研發前期階段的小幅面鈣鈦礦電池產品激光工序驗證，從而過渡向大尺寸量產線技術轉移。

·鈣鈦礦激光刻劃機（量產機型）：適用于鈣鈦礦、CIGS、CdTe、變色玻璃等薄膜電池P0打標、P1/P2/P3激光刻劃、P4激光絕緣清邊以及激光BIPV透光。